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| Artikel-Nr.:
3794E-1660610 Herst.-Nr.:
BSH203,215 EAN/GTIN:
5059043286365 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 470 mA
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 900 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 0.68V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 417 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Breite = 1.4mm
Höhe = 1mm
P-Kanal-MOSFET, Nexperia Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 470 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 900 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 0.68V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 417 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Breite: | 1.4mm | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1660610, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, BSH203,215, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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