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| Artikel-Nr.:
3794E-1661132 Herst.-Nr.:
IPD50N04S408ATMA1 EAN/GTIN:
5059043563251 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 50 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 7,9 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 46 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 6.22mm
Höhe = 2.3mm
Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™ T2. Der neue OptiMOS ™ -T2 von Infineon verfügt über eine Reihe von energieeffizienten MOSFET-Transistoren mit CO2-Senkung und elektrischen Antrieben. Die neue Produktfamilie OptiMOS™ -T2 ist eine Ergänzung der vorhandenen Familien OptiMOS™ -T und OptiMOS™. OptiMOS™-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen bewältigen zu können und volle Flexibilität an engen Orten zu bieten. Diese Produkte von Infineon wurden entwickelt, um die Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte der verschärften Spannungsregelungsstandards für Computeranwendungen der nächsten Generation zu erfüllen und zu übertreffen.. N-Kanal – Anreicherungstyp AEC-Zulassung MSL1 bis zu 260 °C Spitzen-Reflow-Temperatur 175 °C Betriebstemperatur Green Product (RoHS-konform) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 50 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 7,9 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 46 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 6.22mm | Höhe: | 2.3mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 1661132, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD50N04S408ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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