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| Artikel-Nr.: 3794E-1661613 Herst.-Nr.: FDN8601 EAN/GTIN: 5059042255614 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 2,7 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 183 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 1,5 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Betriebstemperatur max. = +150 °C Höhe = 0.94mm
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 2,7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 183 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 1,5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 0.94mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 1661613, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDN8601, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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