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| Artikel-Nr.:
3794E-1661620 Herst.-Nr.:
SI4532DY EAN/GTIN:
5059042255362 |
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| Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 3,5 A; 3,9 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 95 mΩ, 190 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 2 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4mm
Höhe = 1.5mm
Zweifach-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor. Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser enorme Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N, P | Dauer-Drainstrom max.: | 3,5 A; 3,9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 95 mΩ, 190 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 2 W | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4mm | Höhe: | 1.5mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1661620, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, SI4532DY, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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