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| Artikel-Nr.:
3794E-1662540 Herst.-Nr.:
FDB2572 EAN/GTIN:
5059042240368 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 29 A
Drain-Source-Spannung max. = 150 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 146 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 135 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Höhe = 4.83mm
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 20 A bis 59,9 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 29 A | Drain-Source-Spannung max.: | 150 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 146 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 135 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Höhe: | 4.83mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, 1662540, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDB2572, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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