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onsemi PowerTrench FDS8878 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 10,2 A 2,5 W, 8-Pin SOIC


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Produktinformationen
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onsemi PowerTrench FDS8878 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 10,2 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
Artikel-Nr.:
     3794E-1662620
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDS8878
EAN/GTIN:
     5059042238327
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10,2 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 14 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 2,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4mm
Höhe = 1.5mm

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
10,2 A
Drain-Source-Spannung max.:
30 V
Gehäusegröße:
SOIC
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
14 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
1.2V
Verlustleistung max.:
2,5 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Breite:
4mm
Höhe:
1.5mm
Weitere Suchbegriffe: mosfet 10a, 1662620, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDS8878, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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