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| Artikel-Nr.:
3794E-1662663 Herst.-Nr.:
FDY100PZ EAN/GTIN:
5059042238723 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 350 mA
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-523 (SC-89)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,2 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.65V
Verlustleistung max. = 625 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Transistor-Werkstoff = Si
Höhe = 0.78mm
P-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor. PowerTrench® MOSFETs sind optimierte Netzschalter, die bieten eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine geringe Gate-Ladung (QG) mit geringer Umkehr-Erholungsladung (Qrr) und einer Diode mit weichem Umkehr-Erholungsgehäuse, was zu einer schnellen Schaltung der Synchrongleichrichtung in AC/DC-Netzteilen führt. Die neuesten PowerTrench® MOSFETs nutzen eine abgeschirmte Gatterstruktur, die für Ladungsbalance sorgt. Durch die Verwendung dieser fortschrittlichen Technologie ist die Leistungszahl dieser Geräte erheblich niedriger als bei der Vorgängergeneration. Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 350 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-523 (SC-89) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,2 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.65V | Verlustleistung max.: | 625 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Höhe: | 0.78mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1662663, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDY100PZ, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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