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| Artikel-Nr.:
3794E-1663593 Herst.-Nr.:
BS270 EAN/GTIN:
5059042238754 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 400 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-92
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3,5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 625 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 4.7mm
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor. Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 400 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | TO-92 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3,5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 625 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 4.7mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet to-92, 1663593, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, BS270, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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