|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1684466 Herst.-Nr.:
IXFH120N20P EAN/GTIN:
5059041110440 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 120 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 22 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 714 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 5.3mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 120 A | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 22 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Verlustleistung max.: | 714 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 5.3mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet, transistor to-247, 1684466, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFH120N20P, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |