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| Artikel-Nr.: 3794E-1684500 Herst.-Nr.: IXFP12N50P EAN/GTIN: 5059041352673 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 12 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 500 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 5.5V Verlustleistung max. = 200 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Breite = 4.83mm Höhe = 9.15mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 12 A | Drain-Source-Spannung max.: | 500 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 500 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5.5V | Verlustleistung max.: | 200 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Breite: | 4.83mm | Höhe: | 9.15mm |
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| Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet, to-220 mosfet, 1684500, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFP12N50P, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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