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| Artikel-Nr.:
3794E-1684575 Herst.-Nr.:
IXFL100N50P EAN/GTIN:
5059041336147 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 70 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = ISOPLUS264
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 52 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 625 W
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 5.21mm
Höhe = 26.42mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS Serie HiperFET PolarHV. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs vom Anreicherungstyp der Serie IXYS PolarHV™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 70 A | Drain-Source-Spannung max.: | 500 V | Gehäusegröße: | ISOPLUS264 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 52 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 625 W | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Breite: | 5.21mm | Höhe: | 26.42mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1684575, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFL100N50P, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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