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| Artikel-Nr.:
3794E-1684576 Herst.-Nr.:
IXFN200N10P EAN/GTIN:
5059041326506 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 200 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 7,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 680 W
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 235 nC @ 10 V
Höhe = 9.6mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 200 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SOT-227 | Montage-Typ: | Schraubmontage | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 7,5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 680 W | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 235 nC @ 10 V | Höhe: | 9.6mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 200a, 1684576, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFN200N10P, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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