|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1684578 Herst.-Nr.:
IXFN360N15T2 EAN/GTIN:
5059041902304 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 310 A
Drain-Source-Spannung max. = 150 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 4 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 1,07 kW
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Höhe = 9.6mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie GigaMOS™ Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 310 A | Drain-Source-Spannung max.: | 150 V | Gehäusegröße: | SOT-227 | Montage-Typ: | Schraubmontage | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 4 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 1,07 kW | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Höhe: | 9.6mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 1684578, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFN360N15T2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |