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| Artikel-Nr.: 3794E-1684726 Herst.-Nr.: IXFB110N60P3 EAN/GTIN: 5059041360470 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 110 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = PLUS264 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 56 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 5V Verlustleistung max. = 1,89 kW Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Betriebstemperatur max. = +150 °C Höhe = 26.59mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 110 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | PLUS264 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 56 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Verlustleistung max.: | 1,89 kW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 26.59mm |
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| Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet, mosfet 110a, 1684726, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFB110N60P3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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