| |
|
| Artikel-Nr.: 3794E-1684730 Herst.-Nr.: IXFH60N50P3 EAN/GTIN: 5059041353878 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 60 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 5V Verlustleistung max. = 1,04 kW Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Betriebstemperatur max. = +150 °C Höhe = 21.46mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 60 A | Drain-Source-Spannung max.: | 500 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 100 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Verlustleistung max.: | 1,04 kW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 21.46mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet, transistor to-247, 1684730, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFH60N50P3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |