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| Artikel-Nr.:
3794E-1684731 Herst.-Nr.:
IXFH50N60P3 EAN/GTIN:
5059041352581 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 50 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = HiperFET, Q3-Class
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 145 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 1,04 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 21.46mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3. Die HiperFET™ Leistungs-MOSFETs der Klasse IXYS Q3 sind für hartes Schalten wie auch für Resonanzmodusanwendungen geeignet und bieten eine niedrige Gate-Ladung mit außergewöhnlicher Robustheit. Die Geräte umfassen eine schnelle integrierte Diode und sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Ausführungen sowie mit Nennwerten bis zu 1100 V und 70 A erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, Batterieladegeräte, Schalt- Resonanztyp-Netzteile, DC-Chopper, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung. Schnelle interne Gleichrichterdiode Niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung) Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand Industriestandard-Gehäuse Niedrige Gehäuseinduktivität Hohe Leistungsdichte Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 50 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Serie: | HiperFET, Q3-Class | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 145 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Verlustleistung max.: | 1,04 kW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 21.46mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1684731, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFH50N60P3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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