| |
|
| Artikel-Nr.: 3794E-1684814 Herst.-Nr.: IXTR102N65X2 EAN/GTIN: 5059041097185 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 54 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = ISOPLUS247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 33 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 5V Gate-Schwellenspannung min. = 3V Verlustleistung max. = 330 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Breite = 21.34mm Höhe = 5.21mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Serie X2, IXYS. Die Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 von IXYS bieten einen deutlich verringerten Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringe Gate-Ladung im Vergleich zu früheren Generationen von Leistungs-MOSFETs, was zu geringeren Verlusten und einer höheren Betriebseffizienz führt. Diese robusten Geräte umfassen eine Intrinsic-Diode, und sie sind für hartes Schalten ebenso wie für den Resonanzbetrieb geeignet. Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Typen mit Nennströmen von bis zu 120 A bei 650 V erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, AC- und DC-Motorantriebe, Schalt- und Resonanznetzteile, DC-Chopper, Solarwechselrichter, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung. Sehr niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung) Intrinsic-Gleichrichterdiode Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand Niedrige Gehäuseinduktivität Industriestandard-Gehäuse Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 54 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | ISOPLUS247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 33 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 330 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Breite: | 21.34mm | Höhe: | 5.21mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet, 1684814, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXTR102N65X2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |