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| Artikel-Nr.:
3794E-1684942 Herst.-Nr.:
CSD25404Q3T EAN/GTIN:
5059042072242 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 104 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Serie = NexFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 150 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.15V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.65V
Verlustleistung max. = 96 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Breite = 3.4mm
Höhe = 1.1mm
P-Kanal-Leistungs-MOSFET NexFET™, Texas Instruments Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 104 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Serie: | NexFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 150 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.15V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.65V | Verlustleistung max.: | 96 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Breite: | 3.4mm | Höhe: | 1.1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1684942, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Texas Instruments, CSD25404Q3T, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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