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| Artikel-Nr.:
3794E-1685800 Herst.-Nr.:
STP19NF20 EAN/GTIN:
5059042150063 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 15 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 160 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 90 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 9.15mm
N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 15 A | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 160 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 90 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 9.15mm |
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| Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, mosfet, to-220 mosfet, 1685800, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STP19NF20, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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