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| Artikel-Nr.:
3794E-1685925 Herst.-Nr.:
IPN50R650CEATMA1 EAN/GTIN:
5059043367071 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9 A
Drain-Source-Spannung max. = 550 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 650 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 5 W
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 3.7mm
Diodendurchschlagsspannung = 0.84V
Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 550 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 650 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 5 W | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Breite: | 3.7mm | Diodendurchschlagsspannung: | 0.84V |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-223, 1685925, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPN50R650CEATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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