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| Artikel-Nr.: 3794E-1685927 Herst.-Nr.: IPN50R950CEATMA1 EAN/GTIN: 5059043382388 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 6,6 A Drain-Source-Spannung max. = 550 V Gehäusegröße = SOT-223 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 950 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V Verlustleistung max. = 5 W Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Länge = 6.7mm Höhe = 1.7mm
Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 6,6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 550 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 950 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 5 W | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Länge: | 6.7mm | Höhe: | 1.7mm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-223, 1685927, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPN50R950CEATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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