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| Artikel-Nr.:
3794E-1685948 Herst.-Nr.:
IRF135S203 EAN/GTIN:
5059043381367 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 129 A
Drain-Source-Spannung max. = 135 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 8,4 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 441 W
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Diodendurchschlagsspannung = 1.3V
Leistungs-MOSFET StrongIRFET™, Infineon. Die Infineon- StrongIRFET -Familie ist optimiert für geringe R ;sub>DS ;/sub>(ein) und hohe Strombelastbarkeit. Dieses Portfolio bietet eine verbesserte Robustheit am Gate, gegen Lawinendurchschlag und gegen dynamische dv/dt und ist damit ideal für industrielle Anwendungen mit niedriger Frequenz wie Motorantriebe, Elektrowerkzeuge, Wechselrichter und das Batteriemanagement, wo Leistung und Robustheit von zentraler Bedeutung sind. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 129 A | Drain-Source-Spannung max.: | 135 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 8,4 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 441 W | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Diodendurchschlagsspannung: | 1.3V |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet d2pak, 1685948, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF135S203, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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