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| Artikel-Nr.:
3794E-1686101 Herst.-Nr.:
STP11NK50Z EAN/GTIN:
5059042335224 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 520 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 125 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 9.15mm
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 10 A | Drain-Source-Spannung max.: | 500 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 520 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 125 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 9.15mm |
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| Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, mosfet, mosfet 10a, 1686101, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STP11NK50Z, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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