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| Artikel-Nr.: 3794E-1686695 Herst.-Nr.: STP120NF10 EAN/GTIN: 5059042326475 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 120 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 10,5 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 312 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Breite = 4.6mm Betriebstemperatur min. = –55 °C
N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 120 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 10,5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 312 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4.6mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, mosfet, to-220 mosfet, 1686695, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STP120NF10, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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