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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 STP13N80K5 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 12 A 190 W, 3-Pin TO-220


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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 STP13N80K5 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 12 A 190 W, 3-Pin TO-220
Artikel-Nr.:
     3794E-1687019
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STP13N80K5
EAN/GTIN:
     5059042356908
Suchbegriffe:
Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 12 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 450 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 190 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 4.6mm
Höhe = 15.75mm

N-Kanal MDmesh™ K5-Serie, SuperMESH5™, STMicroelectronics
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
12 A
Drain-Source-Spannung max.:
800 V
Gehäusegröße:
TO-220
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
450 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
5V
Gate-Schwellenspannung min.:
3V
Verlustleistung max.:
190 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-30 V, +30 V
Breite:
4.6mm
Höhe:
15.75mm
Weitere Suchbegriffe: Transistor, Z-Diode, Zenerdiode, z-diode tht, z diode, diode to-220, 1687019, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STP13N80K5, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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