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STMicroelectronics IGBT / 40 A ±20V max., 600 V 167 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal


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Produktinformationen
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STMicroelectronics IGBT / 40 A ±20V max., 600 V 167 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
Artikel-Nr.:
     3794E-1687074
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STGW20V60DF
EAN/GTIN:
     5059042333152
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 167 W
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.75 x 5.15 x 20.15mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C

IGBT, diskret, STMicroelectronics
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
40 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
600 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
167 W
Gehäusegröße:
TO-247
Montage-Typ:
THT
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
3
Schaltgeschwindigkeit:
1MHz
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Abmessungen:
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Betriebstemperatur min.:
–55 °C
Weitere Suchbegriffe: 1687074, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGW20V60DF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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