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STMicroelectronics MDmesh STB18NM80 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 17 A 190 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)


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Produktinformationen
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STMicroelectronics MDmesh STB18NM80 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 17 A 190 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Artikel-Nr.:
     3794E-1687535
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STB18NM80
EAN/GTIN:
     5059042318036
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
stm mosfet
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 17 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 295 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 190 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 70 nC @ 10 V
Höhe = 4.6mm

N-Kanal MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
17 A
Drain-Source-Spannung max.:
800 V
Gehäusegröße:
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
295 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
5V
Gate-Schwellenspannung min.:
3V
Verlustleistung max.:
190 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:
70 nC @ 10 V
Höhe:
4.6mm
Weitere Suchbegriffe: mosfet 17a, 1687535, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STB18NM80, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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