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STMicroelectronics MDmesh M2 STF24N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 18 A 30 W, 3-Pin TO-220FP


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STMicroelectronics MDmesh M2 STF24N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 18 A 30 W, 3-Pin TO-220FP
Artikel-Nr.:
     3794E-1687607
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STF24N60M2
EAN/GTIN:
     5059042336238
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 18 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-220FP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 30 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Transistor-Werkstoff = Si
Höhe = 16.4mm

N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics. Eine Serie von Hochspannungsleistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer geringen Gate-Ladung und der ausgezeichneten Ausgangskapazität eignet sich die Serie MDmesh M2 perfekt für den Einsatz in Resonanzschaltnetzgeräten (LLC-Wandler).
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
18 A
Drain-Source-Spannung max.:
650 V
Gehäusegröße:
TO-220FP
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
190 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
30 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
–25 V, +25 V
Transistor-Werkstoff:
Si
Höhe:
16.4mm
Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, mosfet, mosfet to-220fp, 1687607, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STF24N60M2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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