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STMicroelectronics MDmesh M5 STW45N65M5 N-Kanal, THT MOSFET 710 V / 35 A 210 W, 3-Pin TO-247


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STMicroelectronics MDmesh M5 STW45N65M5 N-Kanal, THT MOSFET 710 V / 35 A 210 W, 3-Pin TO-247
Artikel-Nr.:
     3794E-1687618
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STW45N65M5
EAN/GTIN:
     5059042325799
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
stm mosfet
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 35 A
Drain-Source-Spannung max. = 710 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 78 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 210 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 20.15mm

N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
35 A
Drain-Source-Spannung max.:
710 V
Gehäusegröße:
TO-247
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
78 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
5V
Gate-Schwellenspannung min.:
3V
Verlustleistung max.:
210 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
–25 V, +25 V
Betriebstemperatur max.:
+150 °C
Höhe:
20.15mm
Weitere Suchbegriffe: 1687618, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STW45N65M5, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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