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Toshiba IGBT / 20 A ±25V max., 600 V 45 W, 3-Pin TO-220SIS N-Kanal


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Produktinformationen
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Toshiba IGBT / 20 A ±25V max., 600 V 45 W, 3-Pin TO-220SIS N-Kanal
Artikel-Nr.:
     3794E-1687764
Hersteller:
     Toshiba
Herst.-Nr.:
     GT20J341
EAN/GTIN:
     5059041371827
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt toshiba
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±25V
Verlustleistung max. = 45 W
Gehäusegröße = TO-220SIS
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 100kHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 10 x 4.5 x 15mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C

IGBTs, diskret, Toshiba
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
20 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
600 V
Gate-Source Spannung max.:
±25V
Verlustleistung max.:
45 W
Gehäusegröße:
TO-220SIS
Montage-Typ:
THT
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
3
Schaltgeschwindigkeit:
100kHz
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Abmessungen:
10 x 4.5 x 15mm
Betriebstemperatur max.:
+150 °C
Weitere Suchbegriffe: igbt, 1687764, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, GT20J341, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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