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| Artikel-Nr.:
3794E-1687768 Herst.-Nr.:
GT50JR22 EAN/GTIN:
5059041372107 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±25V
Verlustleistung max. = 230 W
Gehäusegröße = TO-3P
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.5 x 4.5 x 20mm
Betriebstemperatur max. = +175 °C
IGBTs, diskret, Toshiba Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 50 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 600 V | Gate-Source Spannung max.: | ±25V | Verlustleistung max.: | 230 W | Gehäusegröße: | TO-3P | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Schaltgeschwindigkeit: | 1MHz | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 15.5 x 4.5 x 20mm | Betriebstemperatur max.: | +175 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 1687768, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, GT50JR22, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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