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| Artikel-Nr.:
3794E-1687770 Herst.-Nr.:
TK100E10N1 EAN/GTIN:
5059041198097 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 207 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3,4 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 255 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4.45mm
Höhe = 15.1mm
MOSFET N-Channel, TK100 Series, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 207 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3,4 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Verlustleistung max.: | 255 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4.45mm | Höhe: | 15.1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: to-220 mosfet, 1687770, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK100E10N1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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