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| Artikel-Nr.:
3794E-1687791 Herst.-Nr.:
TK10J80E EAN/GTIN:
5059041196949 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = TO-3PN
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 250 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 20mm
MOSFET N-Kanal, Serie TK1x, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 10 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Gehäusegröße: | TO-3PN | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Verlustleistung max.: | 250 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 20mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 10a, 1687791, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK10J80E, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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