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| Artikel-Nr.:
3794E-1687965 Herst.-Nr.:
TK20N60W,S1VF(S EAN/GTIN:
5059041359764 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 155 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.7V
Verlustleistung max. = 165 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 48 nC @ 10 V
Serie = TK
MOSFET N-Kanal, Serie TK2x, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 20 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 155 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.7V | Verlustleistung max.: | 165 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 48 nC @ 10 V | Serie: | TK |
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| Weitere Suchbegriffe: toshiba mosfet, mosfet, mosfet 20a, 1687965, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK20N60W,S1VF(S, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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