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| Artikel-Nr.: 3794E-1687967 Herst.-Nr.: TK30A06N1,S4X(S EAN/GTIN: 5059041324168 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 30 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = TO-220SIS Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 15 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Verlustleistung max. = 25 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Breite = 4.5mm Serie = TK
MOSFET N-Kanal, Serie TK3x, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 30 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | TO-220SIS | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 15 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Verlustleistung max.: | 25 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4.5mm | Serie: | TK |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 30a, 1687967, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK30A06N1,S4X(S, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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