| |
|
| Artikel-Nr.: 3794E-1687981 Herst.-Nr.: TK42A12N1,S4X(S EAN/GTIN: 5059041347471 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 42 A Drain-Source-Spannung max. = 120 V Gehäusegröße = TO-220SIS Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 9,4 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Verlustleistung max. = 35 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Breite = 4.5mm Höhe = 15mm
MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 42 A | Drain-Source-Spannung max.: | 120 V | Gehäusegröße: | TO-220SIS | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 9,4 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Verlustleistung max.: | 35 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4.5mm | Höhe: | 15mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: toshiba mosfet, mosfet, 1687981, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK42A12N1,S4X(S, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |