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STMicroelectronics IGBT / 120 A ±20V max., 650 V 469 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-1688740
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STGWT80H65DFB
EAN/GTIN:
     5059042337969
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
stmicroelectronics transistor
Dauer-Kollektorstrom max. = 120 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 469 W
Gehäusegröße = TO-3P
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.8 x 5 x 20.1mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C

IGBT, diskret, STMicroelectronics
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
120 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
469 W
Gehäusegröße:
TO-3P
Montage-Typ:
THT
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
3
Schaltgeschwindigkeit:
1MHz
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Abmessungen:
15.8 x 5 x 20.1mm
Betriebstemperatur min.:
–55 °C
Weitere Suchbegriffe: igbt, 1688740, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGWT80H65DFB, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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