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| Artikel-Nr.:
3794E-1688819 Herst.-Nr.:
STH150N10F7-2 EAN/GTIN:
5059042353587 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 110 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = H2PAK-2
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3,9 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 250 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Höhe = 4.8mm
N-Kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 110 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | H2PAK-2 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3,9 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 250 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Höhe: | 4.8mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 110a, 1688819, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STH150N10F72, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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