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STMicroelectronics IGBT / 23 A ±20V max., 600 V 25 W, 3-Pin TO-220FP N-Kanal


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STMicroelectronics IGBT / 23 A ±20V max., 600 V 25 W, 3-Pin TO-220FP N-Kanal
Artikel-Nr.:
     3794E-1688877
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STGF10NB60SD
EAN/GTIN:
     5059042360158
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
stmicroelectronics transistor
Dauer-Kollektorstrom max. = 23 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 25 W
Gehäusegröße = TO-220FP
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 10.4 x 4.6 x 20mm
Gate-Kapazität = 610pF

IGBT, diskret, STMicroelectronics
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
23 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
600 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
25 W
Gehäusegröße:
TO-220FP
Montage-Typ:
THT
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
3
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Abmessungen:
10.4 x 4.6 x 20mm
Gate-Kapazität:
610pF
Weitere Suchbegriffe: igbt, 1688877, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGF10NB60SD, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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