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| Artikel-Nr.:
3794E-1688898 Herst.-Nr.:
STW20N95K5 EAN/GTIN:
5059042349153 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 17,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 950 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 330 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 250 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 40 nC @ 10 V
Höhe = 20.15mm
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 17,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 950 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 330 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 250 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 40 nC @ 10 V | Höhe: | 20.15mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, Z-Diode, Zenerdiode, z-diode tht, z diode, stm mosfet, 1688898, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STW20N95K5, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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