ISSI 4MBit LowPower SRAM 256k, 16bit / Wort 18bit, 2,4 V bis 3,6 V, TFBGA 48-Pin

Speicher Größe = 4MBit
Organisation = 256 k x 16 Bit
Anzahl der Wörter = 256k
Anzahl der Bits pro Wort = 16bit
Zugriffszeit max. = 10ns
Adressbusbreite = 18bit
Low Power = Ja
Timing Typ = Asymmetrisch
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = TFBGA
Pinanzahl = 48
Abmessungen = 8.1 x 6.1 x 0.9mm
Höhe = 0.9mm
Betriebstemperatur max. = +85 °C

Statischer RAM, ISSI. Die ISSI statischen RAM Produkte verwenden die hochleistungsfähige CMOS-Technologie. Es gibt eine breite Palette an statischen RAMs, darunter die 5-V-hochgeschwindigkeitsasynchrone SRAM, die hochschnelle, energiesparende asynchrone SRAM, die energiesparenden 5-V-Typen asynchroner SRAM, die sehr energiesparende statische CMOS-RAM und die asynchrone SRAM PowerSaverTM ;sup> mit ;/sup>geringerer Leistung. Die ISSI SRAM Geräte sind in einer Vielzahl von Spannungen, Speichergrößen und verschiedenen Organisationen verfügbar. Sie sind geeignet für Anwendungen wie zum Beispiel CPU-Cache-Speicher, Embedded Prozessoren, Festplatte und Schalter für Industrieelektronik.. Stromversorgung: 1,8 V/3,3 V/5 V Verfügbare Pakete: BGA, SOJ, SOP sTSOP, TSOP Verfügbare Konfigurationen: x8 und x16 ECC-Funktion für schnelle asynchrone SRAMs