|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1703402 Herst.-Nr.:
NTMFS5H600NLT1G EAN/GTIN:
5059042157321 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 250 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = DFN
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4 + Tab
Drain-Source-Widerstand max. = 1,7 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 160 W
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Länge = 6.1mm
Höhe = 1.05mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 250 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | DFN | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 4 + Tab | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,7 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 160 W | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Länge: | 6.1mm | Höhe: | 1.05mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 1703402, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTMFS5H600NLT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |