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| Artikel-Nr.:
3794E-1704354 Herst.-Nr.:
2N7008-G EAN/GTIN:
5059040138445 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 230 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-92
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 7,5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = 2N7008
2N7008 N-Kanal-MOSFET-Transistoren. Der Microchip 2N7008 ist ein Anreicherungstyptransistor (normalerweise aus), der eine vertikale DMOS-Struktur verwendet. Das Design kombiniert die Strombelastbarkeit eines bipolaren Transistors mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizient von MOS-Geräten. Merkmale. Frei von sekundärer Durchschlagsspannung Niedrige Anforderungen an die Stromversorgung Einfacher Parallelbetrieb Niedrige C ;sub>ISS ;/sub> und schnelle Schaltgeschwindigkeiten Ausgezeichnete Temperaturstabilität Integrierte Source-Drain-Diode Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 230 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | TO-92 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 7,5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | 2N7008 |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet to-92, mosfet, 1704354, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Microchip, 2N7008G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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