Nexperia BUK7610 BUK7610-55AL,118 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 122 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 122 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 20 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.4V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 124 nC bei 10 V
Automobilstandard = AEC-Q101

Von der Ansteuerung einer einfachen Lampe bis hin zu den anspruchsvollen Anforderungen an die Leistungsregelung in Motor-, Karosserie- oder Fahrwerksanwendungen – Nexperia Leistungshalbleiter können die Antwort auf viele Probleme mit der Leistung von Automobilsystemen sein.Für thermisch anspruchsvolle Umgebungen geeignet durch Temperaturbereich bis 175 °C, typische MOSFET-Anwendungen, elektrische Servolenkung, Motormanagement, integrierter Anlassergenerator, Getriebesteuerung, Antiblockiersystem (ABS), KlimaregelungStandardpegel-N-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) für Standardpegel in einem Kunststoffgehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt wurde für den Einsatz in der Automobilindustrie entwickelt.Geeignet für thermisch anspruchsvolle Umgebungen aufgrund der Auslegung für 175 °C: Geeignet für den Einsatz in Steuerungssystemen durch stabilen Betrieb im linearen Modus Lasten von 12 V und 24 V Kfz-Systeme Gleichstrommotor-Steuerung Wiederholtes geklemmtes induktives Schalten