Nexperia BUK9Y19 BUK9Y19-55B,115 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 184 A 85 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 184 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = LFPAK, SOT-669
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.3V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.5V
Verlustleistung max. = 85 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 15 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 18 nC @ 5 V
Höhe = 1.05mm

Von der Ansteuerung einer einfachen Lampe bis hin zu den anspruchsvollen Anforderungen an die Leistungsregelung in Motor-, Karosserie- oder Fahrwerksanwendungen – Nexperia Leistungshalbleiter können die Antwort auf viele Probleme mit der Leistung von Automobilsystemen sein.Für thermisch anspruchsvolle Umgebungen geeignet durch Temperaturbereich bis 175 °C, typische MOSFET-Anwendungen, elektrische Servolenkung, Motormanagement, integrierter Anlassergenerator, Getriebesteuerung, Antiblockiersystem (ABS), KlimaregelungLogikpegel-N-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) für Standardpegel in einem Kunststoffgehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt wurde für den Einsatz in der Automobilindustrie entwickelt.Geringe Leitungsverluste aufgrund eines niedrigen Durchlasswiderstands Geeignet für Logikebenen-Gate-Ansteuerungs-Quellen Geeignet für thermisch anspruchsvolle Umgebungen aufgrund von 175 °C Nennspannung 12-V- und 24-V-Lasten Kfz-Systeme Universal-Netzschalter-Motoren, Leuchten und Magnete