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| Artikel-Nr.:
3794E-1705339 Herst.-Nr.:
BSH111BKR EAN/GTIN:
5059043820385 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 335 mA
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = TO-236
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 8,1 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.3V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.6V
Verlustleistung max. = 1,45 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 10 V
Länge = 3mm
Höhe = 1mm
Logik- und Standardpegel-MOSFETs in einer Vielzahl von Gehäusen. Testen Sie auch unsere robusten und einfach zu verwendenden MOSFETs im Bereich von 40 V bis 60 V. Sie eignen sich perfekt für platz- und leistungskritische Anwendungen und bieten exzellente Schaltperformance und einen erstklassigen, sicheren Betriebsbereich (SOA).N-Kanal-Verbesserungsmodus Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23(TO-236AB)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-TechnologieNiedrige Schwellenspannung Sehr schnelle Schaltung Trench MOSFET-Technologie Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD) > 3 kV HBM Relaistreiber Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber Low-Side-Lastschalter Schalten von Stromkreisen Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 335 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 55 V | Gehäusegröße: | TO-236 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 8,1 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.3V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.6V | Verlustleistung max.: | 1,45 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | 10 V | Länge: | 3mm | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1705339, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, BSH111BKR, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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