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| Artikel-Nr.:
3794E-1705442 Herst.-Nr.:
BUK964R2-55B,118 EAN/GTIN:
5059043571089 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 191 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 8,4 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.3V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.5V
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 15 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Automobilstandard = AEC-Q101 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 191 A | Drain-Source-Spannung max.: | 55 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 8,4 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.3V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.5V | Verlustleistung max.: | 300 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | 15 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Automobilstandard: | AEC-Q101 |
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| Weitere Suchbegriffe: feldeffekttransistor, 1705442, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, BUK964R255B,118, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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