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| Artikel-Nr.:
3794E-1708297 Herst.-Nr.:
SQ4920EY-T1_GE3 EAN/GTIN:
5059040761780 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 8 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 17,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1.5V
Verlustleistung max. = 4,4 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4mm
Höhe = 1.5mm
Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 17,5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 4,4 W | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4mm | Höhe: | 1.5mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 8a, 1708297, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQ4920EYT1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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