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| Artikel-Nr.:
3794E-1708322 Herst.-Nr.:
SI1032X-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040665637 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 200 mA
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SC-75
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 300 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -6 V, +6 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 750 nC @ 4,5 V
Höhe = 0.8mm
N-Kanal MOSFET, 8 V bis 25 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 200 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SC-75 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 300 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -6 V, +6 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 750 nC @ 4,5 V | Höhe: | 0.8mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1708322, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI1032XT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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