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| Artikel-Nr.:
3794E-1708408 Herst.-Nr.:
SQ2315ES-T1_GE3 EAN/GTIN:
5059040666290 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 3 A
Drain-Source-Spannung max. = 12 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 92 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.45V
Verlustleistung max. = 2 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Betriebstemperatur min. = –55 °C
P-Kanal-MOSFET, SQ robuste Serie, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 12 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 92 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.45V | Verlustleistung max.: | 2 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 1708408, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQ2315EST1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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